Calentador TSV (Through Silicon Via)

Wed, 24 Jun 2026 01:07:03 +0800

En la línea de 300 mm, el proceso de apilamiento de TSV falla cuando el perfil térmico varía. Un solo grado de diferencia en toda la superficie del wafer es suficiente para dañar los vias, arruinar el fotolito y arruinar todo el trabajo realizado durante un mes. El calentador debe proporcionar un calor consistente, no simplemente calor aleatorio.

Lo que realmente importa Construimos el calentador para TSV utilizando elementos infrarrojos de onda corta y un conjunto de material cuarcocerámico, con el objetivo de mantener la generación de partículas en cero. La uniformidad térmica en el wafer es de ±0,1 °C a lo largo de todo su diámetro, mientras que la repetibilidad del punto de temperatura es de ±0,2 °C entre diferentes disparos. El sistema funciona en salas limpias de clase 1–100, opera 24/7 y está diseñado para funcionar más de 5,000 horas sin que haya una desviación del 5% en la temperatura. La velocidad de aumento de temperatura es de 10 °C/s, lo que permite reducir el tiempo de ciclo sin sobrecargar el sistema térmico.

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Calentador TSV (Through Silicon Via)